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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-21 |
| 包装说明： | O-MUPF-P1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.54 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | SOFT RECOVERY POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-208AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPF-P1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 35 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | PRESS FIT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向恢复时间： | 5 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3491R | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon, DO-21 |
|
| 1N3491R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 50V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3492 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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| 1N3492 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-21 |
|
| 1N3492E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3492R | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3492R | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, DO-21 |
|
| 1N3492RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3493 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-21 |
|
| 1N3493 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
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