5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 标称二极管电容： | 56 pF |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 子类别： | Varactors |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3489 | ETC |
获取价格 |
FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|24V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
|
| 1N3489A | ETC |
获取价格 |
FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|24V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
|
| 1N349 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 100V 0.6A |
|
| 1N3490 | ETC |
获取价格 |
FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|24V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
|
| 1N3491 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3491 | NJSEMI |
获取价格 |
Medium-current silicon rectifiers |
|
| 1N3491R | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon, DO-21 |
|
| 1N3491R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 50V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3492 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3492 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-21 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
