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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 最大转折电压： | 24 V | 最大维持电流： | 6 mA |
| JESD-609代码： | e0 | 最大通态电压： | 1.2 V |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 重复峰值反向电压： | 12 V | 子类别： | Silicon Surge Protectors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型： | SILICON SURGE PROTECTOR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N349 | NJSEMI |
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Diode 100V 0.6A |
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| 1N3490 | ETC |
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FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|24V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
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| 1N3491 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| 1N3491 | NJSEMI |
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Medium-current silicon rectifiers |
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| 1N3491R | MOTOROLA |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon, DO-21 |
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| 1N3491R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 50V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
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| 1N3492 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| 1N3492 | NJSEMI |
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Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-21 |
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| 1N3492E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
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| 1N3492R | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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