5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-MUPF-P1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.52 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V |
| JEDEC-95代码： | DO-21 | JESD-30 代码： | O-MUPF-P1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 35 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | PRESS FIT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3493R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3493R | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, DO-21 |
|
| 1N3493RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3493RS | ASI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-21, |
|
| 1N3493S | ASI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-21, |
|
| 1N3494 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3494 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 300V 35A 2-Pin DO-21 |
|
| 1N3494 | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 300V V(RRM), Silicon, DO-21, |
|
| 1N3494E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 300V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3494R | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
