是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-8 |
包装说明: | METAL, DO-8, 1 PIN | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.49 |
Is Samacsys: | N | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.2 V | JEDEC-95代码: | DO-205AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 1600 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 100 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3296SE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
1N3296SR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
1N3297 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3297 | TRSYS |
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High Current Rectifier | |
1N3297 | NAINA |
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SILICON POWER DIODE | |
1N3297 | NJSEMI |
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Diode Switching 1.4KV 100A 2-Pin DO-8 | |
1N3297A | POWEREX |
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GENERAL PURPOSE RECTIFIER | |
1N3297A | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier | |
1N3297A | NJSEMI |
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Diode Switching 1.4KV 150A 2-Pin DO-8 | |
1N3297AF | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 150A, 1400V V(RRM), |