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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2500 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 150 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 1400 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3297ATS | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N3297-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N3297R | TRSYS |
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High Current Rectifier |
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| 1N3297RHR | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N3297S | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3297SR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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| 1N3297SRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| 1N3298A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AA, |
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| 1N3299 | ETC |
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FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|44V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
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| 1N32AR | ASI |
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Mixer Diode, Zero Barrier, S Band, Silicon, DO-22, DO-22, 1 PIN |
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