5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2500 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 150 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 1400 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3297ATS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3297-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N3297R | TRSYS |
获取价格 |
High Current Rectifier |
|
| 1N3297RHR | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N3297S | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3297SR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| 1N3297SRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| 1N3298A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AA, |
|
| 1N3299 | ETC |
获取价格 |
FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|44V V(BO) MAX|125UA I(S)|DO-204AA |
|
| 1N32AR | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Zero Barrier, S Band, Silicon, DO-22, DO-22, 1 PIN |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
