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1N3298A

更新时间: 2024-11-12 14:49:19
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美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AA,

1N3298A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-H1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:EXCELLENT RELIABILITY
应用:SOFT RECOVERY POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-205AA
JESD-30 代码:O-MUPM-H1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2500 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:150 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1600 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N3298A 数据手册

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