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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1195RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1196 | NJSEMI |
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PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N1196 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1196A | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1196A | NJSEMI |
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PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N1196AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1196E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1196R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1196RA | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 1N1197 | NJSEMI |
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PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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