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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.51 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V | JEDEC-95代码： | DO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 220 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 18 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1198R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1198RA | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 1N1198RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1199 | NJSEMI |
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Si Rectifier |
|
| 1N1199 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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| 1N1199 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 50V V(RRM) |
|
| 1N1199A | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 50V V(RRM) |
|
| 1N1199A | ASI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1199A | NJSEMI |
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Si Rectifier |
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| 1N1199A | AMERICASEMI |
获取价格 |
DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER |
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