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1N1199A

更新时间: 2024-02-16 21:42:33
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Silicon Power Rectifier

1N1199A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:DO-4包装说明:O-MUPM-D1
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.24应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.35 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:240 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

1N1199A 数据手册

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