5秒后页面跳转
1N1199R PDF预览

1N1199R

更新时间: 2024-09-29 20:04:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 130K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO203AA(DO4), 1 PIN

1N1199R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-203AA
包装说明:GLASS METAL, DO203AA(DO4), 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.43应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N1199R 数据手册

 浏览型号1N1199R的Datasheet PDF文件第2页 

与1N1199R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N1199RA ETC

获取价格

GERMANIUM PNP TRANSISTORS
1N119WS SEMTECH

获取价格

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1N12 ETC

获取价格

1N CAP TRANSLUCENT GREEN
1N120 ETC

获取价格

GOLD BONDED DIODES
1N1200 NJSEMI

获取价格

Si Rectifier
1N1200 MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier
1N1200 POWEREX

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon
1N1200A NJSEMI

获取价格

Diode Switching 100V 12A 2-Pin DO-4
1N1200A AMERICASEMI

获取价格

DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER
1N1200A ASI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, DO-4, DO-4, 1 PIN