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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N1200BE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1200B-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode |
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| 1N1200BR-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode |
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| 1N1200C | MICROSEMI | SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1200CE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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| 1N1200-CHIP | SSDI | 暂无描述 |
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