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1N1201A

更新时间: 2024-01-16 05:49:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Silicon Power Rectifier

1N1201A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-4包装说明:GLASS METAL, DO203AA(DO4), 1 PIN
针数:1Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.41应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:150 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N1201A 数据手册

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