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1N1200

更新时间: 2024-02-11 23:43:17
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POWEREX 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon

1N1200 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.63
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:1000 µA
最大反向恢复时间:5 µs表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N1200 数据手册

  

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