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1N1199A

更新时间: 2024-01-27 13:27:04
品牌 Logo 应用领域
ASI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 276K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, DO-4, 1 PIN

1N1199A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.21Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.35 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:240 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向电流:3000 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N1199A 数据手册

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