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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 18 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1196AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1196E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1196R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1196RA | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 1N1197 | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N1197 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1197A | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N1197A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N1197AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1197AR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 500V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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