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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 40 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 500 V | 最大反向恢复时间： | 5 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1197AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1197AR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 500V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
|
| 1N1197ARE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1197E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1197R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1197RA | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| 1N1198 | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N1198 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1198A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1198A | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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