5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | METAL, DO-5, 1 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 40 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大重复峰值反向电压： | 300 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1196 | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
|
| 1N1196 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N1196A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N1196A | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
|
| 1N1196AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1196E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1196R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N1196RA | ETC |
获取价格 |
GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
|
| 1N1197 | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
|
| 1N1197 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
