是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-220F2, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.08 | 雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 0.75 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 24 pF | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 52 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 38 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 465 ns |
最大开启时间(吨): | 205 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
10N60L-TF3-T | UTC |
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10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60L-TF3T-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor | |
10N60L-TQ2-R | UTC |
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10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60L-TQ2-T | UTC |
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10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60L-X-TA3-T | UTC |
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10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60L-X-TF1-T | UTC |
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10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60L-X-TF3-T | UTC |
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10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60L-X-TQ2-R | UTC |
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10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60L-X-TQ2-T | UTC |
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10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60-Q | UTC |
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N-CH |