5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 24 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 465 ns | 最大开启时间（吨）： | 205 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 10N60L-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60L-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60L-X-TA3-T | UTC |
获取价格 |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60L-X-TF1-T | UTC |
获取价格 |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60L-X-TF3-T | UTC |
获取价格 |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60L-X-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60L-X-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60-Q | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
| 10N60T | SUNMATE |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 10N60-TC | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2N7002DW数据手册：参数解读、引脚信息、替代型号推荐
网络滤波器、EMI滤波器与EMC滤波器在电子元器件中的分类关系
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
