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10N65F

更新时间： 2024-11-30 17:15:23

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
9页	2841K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:650V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:7A;Vgs(th)(V):±30;漏源导通电阻:1.4mΩ@10V

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10N65F 数据手册

UMW

UMW 10N65

N-道沟功率

MOS 管

●最大额定值（TC=25°C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）

TO-220/220F/262/263

位单

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

值定额

VALUE

UNIT

V_DS=650V

漏-源电压

V_DS

V_GS

650

Drain-source Voltage

R_DS(ON)=0.9Ω

I_D=10A

栅-源电压

gate-source Voltage

±20

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=100℃

I_D

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

①

TO-220

耗散功率

Power Dissipation

TO-220F

P_tot

TO-262/263

最高结温

Junction Temperature

存储温度

150

-55-150

500

°C

T_STG

E_AS

Storage Temperature

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy②

●电特性（Tc=25°C）

●Electronic Characteristics（Tc=25°C）

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

条试测件

TEST CONDITION

值小最

MIN

值型典

TYP

值大最

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250µA

650

Drain-source Breakdown Voltage

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.65

V/°C

25°C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250µA

2.0

4.0

V_DS=650 V,

V_GS=0V, Tj=25°C

µA

漏-源漏电流

I_DSS

gfs

Drain-source Leakage Current

V_DS=480V,

V_GS=0V, Tj=125°C

µA

跨导

Forward Transconductance

V_DS=40V, I_D=5.0A

③

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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