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ZXT10P12DE6TA

更新时间: 2024-09-19 07:42:27
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美台 - DIODES 晶体开关晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 237K
描述
12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

ZXT10P12DE6TA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SUPERSOT-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:5.28Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):45
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHzBase Number Matches:1

ZXT10P12DE6TA 数据手册

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ZXT10P12DE6  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
LIMIT  
-12  
-12  
-5  
UNIT  
V
Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e  
Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e  
Em itte r-Ba s e Vo lta g e  
Pe a k Pu ls e Cu rre n t  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
I
I
-10  
-3  
A
CM  
Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t  
Ba s e Cu rre n t  
A
C
B
-500  
m A  
Po w e r Dis s ip a tio n a t TA=25°C (a )  
Lin e a r De ra tin g Fa cto r  
P
1.1  
8.8  
W
m W/°C  
D
Po w e r Dis s ip a tio n a t TA=25°C (b )  
Lin e a r De ra tin g Fa cto r  
P
1.7  
13.6  
W
m W/°C  
D
Op e ra tin g a n d S to ra g e Te m p e ra tu re Ra n g e  
T :T  
-55 to +150  
°C  
j
s tg  
THERMAL RESISTANCE  
PARAMETER  
S YMBOL  
VALUE  
UNIT  
J u n ctio n to Am b ie n t (a )  
J u n ctio n to Am b ie n t (b )  
R
R
113  
73  
°C/W  
°C/W  
θJ A  
θJ A  
NOTES  
(a) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,  
in still air conditions  
(b) For a device surface m ounted on FR4 PCB m easured at tр5 secs.  
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2000  
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