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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZXMN2A04DN8TA
ZXMN2A04DN8TA PDF预览

ZXMN2A04DN8TA

更新时间： 2024-10-14 07:42:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN2A04DN8TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：0.89
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.7 A最大漏极电流 (ID)：5.9 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMN2A04DN8TA 数据手册

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ZXMN2A04DN8  
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
V(BR)DSS= 20V; RDS(ON)= 0.025 ; ID= 7.7A  
DESCRIPTION  
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique  
structure that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching  
speed. This m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power  
m anagem ent applications.  
FEATURES  
SO8  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
DC - DC converters  
Power m anagem ent functions  
Disconnect switches  
Motor control  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL TAPE  
QUANTITY  
PER REEL  
PINOUT  
WIDTH  
12m m  
12m m  
ZXMN2A04DN8TA  
ZXMN2A04DN8TC  
7’‘  
500 units  
13’‘  
2500 units  
DEVICE MARKING  
ZXMN  
2A04D  
Top view  
ISSUE 1 - J ULY 2004  
1
S E M IC O N D U C T O R S  
1234567

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ZXMN2A04DN8TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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