是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.2 | 其他特性: | LOW THRESHOLD |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 5.9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.025 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ZXMN2A04DN8TA | DIODES |
类似代替 |
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZXMN2A14F | DIODES |
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ZXMN2A14F | TYSEMI |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power management functions | |
ZXMN2A14F | ZETEX |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN2A14FTA | ZETEX |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN2A14FTA | TYSEMI |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power management functions | |
ZXMN2A14FTA | DIODES |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN2A14FTC | ZETEX |
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