ZVP4105A

更新时间： 2024-01-05 08:28:34

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	54K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZVP4105A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.21
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.18 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVP4105A 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP4105A

FEATURES

50 Volt V_DS

R_DS(on)=10Ω

Low threshold

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-50

-175

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-520

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

625

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-50

I_D=-0.25mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-0.8

-2.0

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

-15

-60

-100

V_DS=-50V, V_GS=0V

µA

V_DS=-50V, V_GS=0V, T=125°C(2)

V_DS=-25V, V_GS=0V

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

V_GS=-5V,I_D=-100mA

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-100mA

Input Capacitance (2)(4)

C_iss

Common Source Output

Capacitance (2)(4)

C_oss

V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)(4)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)(4) t_d(on)

Rise Time (2)(3)(4) t_r

Turn-Off Delay Time (2)(3)(4) t_d(off)

Fall Time (2)(3)(4) t_f

V_DD≈-30V, I_D=-270mA

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

(

)

3-435

中文翻译

下载PDF

ZVP4105A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVP2106A	DIODES	类似代替	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123-7-F	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K-7	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与ZVP4105A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP4105AM1	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP4105ASM	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP4105ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP4105ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP4105ASMTA	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVP4105ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP4105ASTOA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4105ASTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4105ASTOB	DIODES	获取价格	180mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, E-LINE PACKAGE-3
ZVP4105ASTZ	DIODES	获取价格	180 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, E-LINE PACKAGE-3

与ZVP4105A相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

7
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

7
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

9
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

9

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVP4105A

ZVP4105A 技术参数

ZVP4105A 数据手册

ZVP4105A 替代型号

与ZVP4105A相关器件

与ZVP4105A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVP4105A

ZVP4105A 技术参数

ZVP4105A 数据手册

ZVP4105A 替代型号

与ZVP4105A相关器件

与ZVP4105A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？