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ZVP4424

更新时间： 2024-06-27 12:12:58
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合科泰 - HOTTECH /
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5页 791K
描述
SOT-223

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ZVP4424 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：1.72
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：240 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：1 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZVP4424 数据手册

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ZVP4424  
P-CHANNEL HIGH VOLTAGE MOSFET  
FEATURES  
VDS=-240V,RDS(ON)≤9Ω@VGS=-10V,ID=-480mA  
Low Threshold and Fast Switching  
For Electronic Hook Switches Applications  
For Telecoms and Battery Powered Equipment Applications  
Surface Mount device  
SOT-223  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-223  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.112 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
-240  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VGS  
Gate-source voltage  
±40  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
ID  
IDM  
-480  
mA  
A
-1.0  
Power dissipation  
PD  
2.5  
W
°C  
TJ,TSTG  
Operating and Storage temperature  
-55 ~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol Min Typ Max Unit  
Conditions  
V(BR)DSS  
Drain-Source breakdown voltage  
-240  
V
VGS=0V, ID=-1mA  
VDS=-240V,  
-10  
-100  
-100  
μA  
μA  
nA  
A
VGS=0V,  
Zero gate voltage drain current  
(TJ = 25°C)  
IDSS  
VDS=-190V,  
VDS=0V,  
VGS=0V,TA=125°C(2)  
Gate-body leakage current  
On-State Drain Current  
ON CHARACTERISTICS  
Gate-threshold voltage  
IGSS  
VGS=±40V  
VDS=-10V,  
ID(ON)  
-0.75 -1.0  
VGS=-10V  
VGS(th) -0.7  
RDS(ON)  
-1.4 -2.0  
V
Ω
Ω
VDS=VGS, ID=-1mA  
7.1  
8.8  
9
VGS=-10V, ID=-200mA  
VGS=-3.5V, ID=-100mA  
Drain-source on-resistance  
11  
Forward Trans-conductance (1)(2)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input capacitance (2)  
gfs  
125  
mS VDS=-10V, ID=-200mA  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
100 200  
pF  
VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz  
Output capacitance(2)  
18  
5
25  
15  
15  
15  
40  
30  
pF  
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
Reverse transfer capacitance(2)  
Turn-on delay time(2,3)  
Turn-on rise time(2,3)  
8
8
VDD=-50V,ID=-250mA,VGEN=-10V  
Turn-off delay time(2,3)  
Turn-off fall time(2,3)  
td(off)  
tf  
26  
20  
Notes: 1. Measured under pulsed conditions. Width=300ms. Duty cycle ≤2%.  
2. Sample test.  
3. Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator.  
1 / 5  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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