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ZVP4105ASTOA

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	43K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3

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ZVP4105ASTOA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.22	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.18 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP4105ASTOA 数据手册

NOT RECOMMENDED

P-CHANNEL ENHANCEMENT

ZVP4105A

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

FEATURES

50 Volt V_DS

R_DS(on)=10Ω

Low threshold

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-50

-175

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-520

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

625

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-50

I_D=-0.25mA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-0.8

-2.0

ID=-1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

-15

-60

-100

V_DS=-50V, V_GS=0V

µA

V_DS=-50V, V_GS=0V, T=125°C(2)

V_DS=-25V, V_GS=0V

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

V_GS=-5V,I_D=-100mA

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-100mA

Input Capacitance (2)(4)

C_iss

Common Source Output

Capacitance (2)(4)

C_oss

V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)(4)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)(4) t_d(on)

Rise Time (2)(3)(4) t_r

Turn-Off Delay Time (2)(3)(4) t_d(off)

Fall Time (2)(3)(4) t_f

V_DD≈-30V, I_D=-270mA

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

(

)

3-435

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ZVP4105ASTOA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS123TA	DIODES	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2106A	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206A	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

与ZVP4105ASTOA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP4105ASTOB	DIODES	获取价格	180mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, E-LINE PACKAGE-3
ZVP4105ASTZ	DIODES	获取价格	180 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, E-LINE PACKAGE-3
ZVP4424	HOTTECH	获取价格	SOT-223
ZVP4424A	DIODES	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP4424A	ZETEX	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP4424ASM	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVP4424ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4424ASMTA	ZETEX	获取价格	暂无描述
ZVP4424ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4424ASTOA	DIODES	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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