5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVP0545ASMTA
ZVP0545ASMTA PDF预览

ZVP0545ASMTA

更新时间： 2024-10-14 13:16:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

ZVP0545ASMTA 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.07
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：0.045 A最大漏源导通电阻：150 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZVP0545ASMTA 数据手册

  
P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 – MARCH 94  
ZVP0545A  
FEATURES  
*
*
450 Volt VDS  
RDS(on)=150Ω  
D
G
S
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
-450  
-45  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
mA  
V
IDM  
-400  
Gate Source Voltage  
VGS  
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
700  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-450  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-1.5  
-4.5  
20  
V
ID=-1mA, VDS= VGS  
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-20  
-2  
VDS=-450 V, VGS=0  
VDS=-360 V, VGS=0V,  
T=125°C(2)  
µA  
mA  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-100  
40  
mA  
VDS=-25 V, VGS=-10V  
VGS=-10V,ID=-50mA  
Static Drain-Source  
On-State Resistance (1)  
RDS(on)  
150  
Ω
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
mS  
VDS=-25V,ID=-50mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
120  
20  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-25 V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
5
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
10  
15  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
VDD≈-25V, ID=-50mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
(2) Sample test.  
3-413  
(
3
1

中文翻译

下载PDF

与ZVP0545ASMTA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZVP0545ASMTC ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
ZVP0545ASTOA ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
ZVP0545ASTZ DIODES

获取价格

 		暂无描述
ZVP0545B ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-39
ZVP0545G ZETEX

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP0545G DIODES

获取价格

 		SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP0545GTA DIODES

获取价格

 		SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP0545GTA ZETEX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 450V, 150ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
ZVP0545GTC DIODES

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 450V, 150ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
ZVP0545L ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 100MA I(D) | SOT-23

与ZVP0545ASMTA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证