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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVP0545GTA
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ZVP0545GTA

更新时间： 2024-01-22 23:40:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP0545GTA 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：0.74
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：441715Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT223_Samacsys Released Date：2019-09-02 16:47:19
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：0.075 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：0.15 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：35 ns
最大开启时间（吨）：25 nsBase Number Matches：1

ZVP0545GTA 数据手册

  
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVP0545G  
ISSUE 1 – MARCH 98  
FEATURES  
*
*
450 Volt VDS  
RDS(on)=150Ω  
D
S
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
-450  
-75  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
mA  
V
IDM  
-400  
Gate Source Voltage  
VGS  
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
2
W
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-450  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-1.5  
-4.5  
20  
V
ID=-1mA, VDS= VGS  
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
V
GS=± 20V, VDS=0V  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-20  
-2  
VDS=-450 V, VGS=0  
µA  
mA  
V
DS=-360 V, VGS=0V,  
T=125°C(2)  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-100  
40  
mA  
VDS=-25 V, VGS=-10V  
VGS=-10V,ID=-50mA  
Static Drain-Source  
On-State Resistance (1)  
RDS(on)  
150  
Ω
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
mS  
VDS=-25V,ID=-50mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
120  
20  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-25 V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
5
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
10  
15  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
DD ≈-25V, ID=-50mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
(2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
1

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