ZVP1320A

更新时间： 2024-10-13 22:06:23

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP1320A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.06	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.07 A
最大漏极电流 (ID)：	0.07 A	最大漏源导通电阻：	80 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVP1320A 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP1320A

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=80Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-200

-70

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-400

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

625

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-200

I_D=-1mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-1.5

-3.5

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

-10

-50

V_DS=-200 V, V_GS=0

µA

V_DS=-160 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-100

V_DS=-25 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-50mA

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-50mA

Input Capacitance (2)

C_iss

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈-25V, I_D=-50mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

3-414

(

12 3

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