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ZVP2106B

更新时间： 2024-09-23 22:06:23
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 19K
描述
P CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS FET

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ZVP2106B 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.28 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：20 pF
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZVP2106B 数据手册

 浏览型号ZVP2106B的Datasheet PDF文件第2页 
ZVP2106B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
P CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE DMOS FET  
BV  
I
- 60V  
0.76A  
Ω
0.5  
8.89 (0.35)  
9.40 (0.37)  
DSS  
7.75 (0.305)  
8.51 (0.335)  
(cont)  
D
R
(on)  
DS  
4.19 (0.165)  
4.95 (0.195)  
0.89  
(0.035)  
max.  
12.70  
(0.500)  
min.  
7.75 (0.305)  
8.51 (0.335)  
dia.  
FEATURES  
5.08 (0.200)  
typ.  
• FAST SWITCHING SPEEDS  
• NO SECONDARY BREAKDOWN  
• EXCELLENT TEMPERATURE STABILITY  
• HIGH INPUT IMPEDANCE  
2.54  
2
(0.100)  
1
3
0.66 (0.026)  
1.14 (0.045)  
0.71 (0.028)  
0.86 (0.034)  
45°  
• LOW CURRENT DRIVE  
TO39  
• EASE OF PARALLELING  
Pin 1 – Source  
Pin 2 – Gate  
Pin 3 – Drain  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tcase = 25°C unless otherwise stated)  
V
Gate – Source Voltage  
Drain – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
±20  
-60V  
GS  
V
DS  
I
I
I
(V = 10V , T  
= 25°C)  
0.28A  
-0.76A  
-4A  
D
GS  
case  
case  
(V = 10V , T  
= 100°C)  
D
GS  
DM  
P
P
Power Dissipation @ T = 25°C  
0.7W  
D
A
Power Dissipation @ T = 25°C  
5W  
D
C
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
–55 to 150°C  
J
stg  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
11/99  
12

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