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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVP1320F
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ZVP1320F

更新时间： 2024-01-04 16:46:57
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP1320F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.07配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.035 A
最大漏极电流 (ID)：0.035 A最大漏源导通电阻：80 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：15 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.33 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZVP1320F 数据手册

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SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVP1320F  
ISSUE 3 – JANUARY 1996  
✪
FEATURES  
*
VDS - 200V  
S
D
PARTMARKING DETAIL -  
MT  
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
-200  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
-35  
mA  
mA  
V
IDM  
-400  
Gate Source Voltage  
VGS  
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-200  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
ID=-1mA, VDS= VGS  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-1.5  
-3.5  
20  
V
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-10  
-50  
VDS=-200V, VGS=0V  
VDS=-160V, VGS=0V,  
T=125°C(2)  
µA  
µA  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-100  
25  
mA  
VDS=-25V, VGS=-10V  
VGS=-10V, ID=-50mA  
Static Drain-Source On-State RDS(on)  
Resistance (1)  
80  
Ω
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
mS  
VDS=-25V, ID=-50mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
50  
15  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
5
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
8
ns  
ns  
ns  
ns  
8
VDD≈-25V, ID=-50mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
8
16  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
3 - 423  
123

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