ZVP0545G

更新时间： 2024-10-13 22:06:23

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP0545G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.075 A
最大漏极电流 (ID)：	0.075 A	最大漏源导通电阻：	150 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP0545G 数据手册

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVP0545G

ISSUE 1 – MARCH 98

FEATURES

450 Volt V_DS

R_DS(on)=150Ω

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-450

-75

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-400

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-450

I_D=-1mA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-1.5

-4.5

I_D=-1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

-20

-2

V_DS=-450 V, V_GS=0

µA

_DS=-360 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-100

V_DS=-25 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-50mA

Static Drain-Source

On-State Resistance (1)

R_DS(on)

150

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-50mA

Input Capacitance (2)

C_iss

120

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

_DD≈-25V, I_D=-50mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP0545GTA	DIODES	获取价格	SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP0545GTA	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 450V, 150ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
ZVP0545GTC	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 450V, 150ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
ZVP0545L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 100MA I(D) \| SOT-23
ZVP1320A	ZETEX	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP1320AM1	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP1320ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP1320ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP1320ASTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP1320ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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