ZVNL120GTC

更新时间： 2024-09-13 13:16:15

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美台 - DIODES		/
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3页	54K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 200V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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ZVNL120GTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SOT-223, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.11	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVNL120GTC 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVNL120A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=10Ω

Low threshold

APPLICATIONS

Telephone handsets

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

200

180

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre a kd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

200

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th re s h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.5

1.5

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=200 V, V_GS=0

V_DS=160 V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

500

200

m A

V_DS=25 V, V_GS=5V

V_GS=5V,I_D=250m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

V_GS=3V, I_D=125m A

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

m S

V_DS=25V,I_D=250m A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Cap acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈25V, I_D=250m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

3-401

12 3

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ZVNL120GTC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVNL120GTA	DIODES	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 200V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVNL120Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 270MA I(D) \| SOT-89
ZVNL120ZTA	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 200V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVNL535A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVNL535AM1	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVNL535ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVNL535ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVNL535ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVNL535ASTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVNL535ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVNL535ASTOB	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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