| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.29 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.09 A | 最大漏源导通电阻： | 40 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVNL535DA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
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| ZVNL535DB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
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| ZVNL535DC | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
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| ZVNL535DWP | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| ZVP0120A | ZETEX |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVP0120AM1 | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| ZVP0120ASM | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| ZVP0120ASMTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| ZVP0120ASMTA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| ZVP0120ASMTC | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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有源滤波器设计中的运放选择
一文带你了解低失调电压运放选型
高频开关电源电路设计中的增强型MOSFET 选型
TL074在传感器接口电路中的阻抗匹配设计与优化
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