ZVP0120A

更新时间： 2024-02-05 01:49:05

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	83K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZVP0120A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.11 A
最大漏极电流 (ID)：	0.11 A	最大漏源导通电阻：	32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	7 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVP0120A 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP0120A

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=32Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-200

-110

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-1

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

700

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

-200

I_D=-1mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source

Threshold Voltage

V_GS(th)

-1.5 -3.5

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage

Drain Current

-10

-100

V_DS=-200 V, V_GS=0

V_DS=-160 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-250

mA V_DS=-25 V, V_GS=-10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R_DS(on)

V_GS=-10V,I_D=-125mA

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-125mA

Input Capacitance (2)

C_iss

100 pF

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈−25V, I_D=-125mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(

)

3-406

Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

12 3

中文翻译

下载PDF

与ZVP0120A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP0120AM1	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120ASMTA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120ASTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120ASTOB	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP0120B	ZETEX	获取价格	250mA, 200V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
ZVP0120L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 250MA I(D) \| TO-220

与ZVP0120A相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

36
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

24
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

64
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

69

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVP0120A

ZVP0120A 技术参数

ZVP0120A 数据手册

与ZVP0120A相关器件

与ZVP0120A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVP0120A

ZVP0120A 技术参数

ZVP0120A 数据手册

与ZVP0120A相关器件

与ZVP0120A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？