ZVP0540A

更新时间： 2024-10-29 22:06:23

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP0540A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.08	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.045 A
最大漏极电流 (ID)：	0.045 A	最大漏源导通电阻：	150 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVP0540A 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP0540A

FEATURES

400 Volt V_DS

R_DS(on)=150Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-400

-45

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-400

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

700

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

-400

I_D=-1mA, V_GS=0V

Gate-Source

Threshold Voltage

V_GS(th)

-1.5 -4.5

ID=-1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage

Drain Current

-20

-2

V_DS=-400 V, V_GS=0

µA

V_DS=-320 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-100

150

mA V_DS=-25 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-50mA

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

Ω

Forward Transconductance(1)( g_fs

mS V_DS=-25V,I_D=-50mA

Input Capacitance (2)

C_iss

120

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈-25V, I_D=-50mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(

)

3-412

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