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ZVN1409ASTOA

更新时间： 2024-11-25 15:58:59

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	85K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVN1409ASTOA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.06
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	90 V
最大漏极电流 (ID)：	0.01 A	最大漏源导通电阻：	250 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN1409ASTOA 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN1409A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

90 Volt V_DS

Low input capacitance

Fast switching

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

625

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

I_D=0.1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=0.1m A, V_DS= V_GS

Ga te Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

V_DS=90V, V_GS=0V

V_DS=72V, V_GS=0V,

µA

100 (2)

T=125°C

On S ta te Dra in Cu rre n t (1)

I_{D(o n )}

m A

V_DS=25 V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=5m A

S ta tic Dra in S o u rce On S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

250

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce (1)( g _fs

m S

V_DS=25V,I_D=10m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

6.5

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25 V, V_GS=0V

f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Ca p acita n ce C_{rs s}

(2)

0.65

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)(4)

Ris e Tim e (2)(3)(4)

t_{d (o n )}

0.3

n s

t_r

0.5

V_DD≈25V, I_D=5m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)(4)

Fa ll Tim e (2)(3)(4)

t_{d (o ff)}

t_f

0.35

0.5

3-358

(

12 3

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