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ZVN2106ASMTA

更新时间： 2024-10-03 13:02:51

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	50K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVN2106ASMTA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.06
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.45 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN2106ASMTA 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN2106A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)=2Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

450

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

500

100

n A

µA

V_DS=60 V, V_GS=0

V_DS=48 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

V_DS=18V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=1A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

300

m S

V_DS=18V,I_D=1A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=18 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Ca p acita n ce

(2)

C_{rs s}

p F

3-361

12 3

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