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ZVN2106B

更新时间： 2024-10-03 07:42:47

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SEME-LAB		晶体晶体管开关
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描述
N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZVN2106B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.45 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	20 pF	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN2106B 数据手册

ZVN2106B

MECHANICAL DATA

N–CHANNEL

Dimensions in mm (inches)

8.51 (0.34)

9.40 (0.37)

ENHANCEMENT MODE

MOSFET

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

V_DSS

I_D

R_DS(on)

60V

1.2A

2.0Ω

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

5.08 (0.200)

typ.

FEATURES

•

Faster switching

Low Ciss

2.54

(0.100)

Integral Source-Drain Diode

High Input Impedance and High Gain

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

DESCRIPTION

45°

This enhancement-mode (normally-off) vertical DMOS FET is

ideally suited to a wide range of switching and amplifying

applications where high breakdown voltage, high input

impedance, low input capacitance, and fast switching speeds

are desired.

TO-39 PACKAGE (TO-205AD)

(Underside View)

PIN 1 – SOURCE

PIN 2 – GATE

PIN 3 – DRAIN

CASE – DRAIN

High Reliability Screening options are available.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_CASE= 25°C unless otherwise stated

V_DS

Drain - Source Voltage

60V

1.2A

I_D

Drain Current

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_A= 25°C)

- Pulsed (Note 1)

0.45A

I_DM

Drain Current

V_GS

P_tot(1)

Gate - Source Voltage

20V

Total Power Dissipation at T_mb≤ 25°C

De-rate Linearly above 25°C

0.040W/°C

700mW

-55 to +150°C

P_tot(2)

Total Power Dissipation at T_amb≤ 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_j,T_stg

THERMAL DATA

R_thj-c

Thermal Resistance Junction – Case

Max

179

°C/W

R_thj-amb

Thermal Resistance Junction - Ambient

NOTES:

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Pulse Test: Pulse Width ≤ 380µS, Duty Cycle , δ 2%

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed to be

both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab

encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

DOC 7927, ISSUE 1

Semelab plc. ^{Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.}

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN2106C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 280MA I(D) \| SO
ZVN2106D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| CHIP
ZVN2106DWP	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
ZVN2106E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 450MA I(D) \| DIP
ZVN2106G	DIODES	获取价格	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2106G	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2106GTA	DIODES	获取价格	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2106GTC	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN2106L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 650MA I(D) \| TO-220
ZVN2106Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 610MA I(D) \| SOT-89

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