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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVN2106ZTA | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 0.61A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| ZVN2110A | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN2110A | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN2110AM1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 320MA I(D) | SO |
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| ZVN2110ASM | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN2110ASMTA | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN2110ASMTC | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN2110ASMTC | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN2110ASTOA | DIODES |
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暂无描述 |
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| ZVN2110ASTOA | ZETEX |
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暂无描述 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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