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ZTX855

更新时间： 2024-11-23 07:42:51
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3页 76K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

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ZTX855 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：GREEN, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：0.89
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：90 MHzBase Number Matches：1

ZTX855 数据手册

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH CURRENT TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MARCH 94  
ZTX855  
FEATURES  
*
*
*
*
*
150 Volt VCEO  
4 Amps continuous current  
Up to 10 Amps peak current  
Very low saturation voltage  
Ptot= 1.2 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
250  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
150  
V
6
V
Peak Pulse Current  
10  
4
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptotp  
1.58  
W
W
°C  
Ptot  
1.2  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CER  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
250  
250  
150  
6
375  
375  
180  
8
V
V
V
V
IC=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltag  
IC=1µA, RB ≤1KΩ  
IC=10mA*  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
50  
1
nA  
µA  
VCB=200V  
VCB=200V, Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1KΩ  
50  
1
nA  
µA  
VCB=200V  
VCB=200V, Tamb=100°C  
IEBO  
10  
nA  
VEB=6V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
20  
35  
60  
210  
40  
60  
100  
260  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=100mA, IB=5mA*  
IC=500mA, IB=50mA*  
IC=1A, IB=100mA*  
IC=4A, IB=400mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
960  
1100 mV  
IC=4A, IB=400mA*  
2-300  
123

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ZTX855 替代型号

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