5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.16 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZTX857STOA | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| ZTX857STOB | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| ZTX857STZ | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| ZTX858 | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| ZTX858SMTA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| ZTX858STOA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| ZTX858STOB | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| ZTX858STZ | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| ZTX869 | DIODES |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
|
| ZTX869 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
