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ZTX869STOA

更新时间： 2024-01-10 15:05:31
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美台 - DIODES /
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3页 86K
描述
Transistor

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ZTX869STOA 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.56
Base Number Matches：1

ZTX869STOA 数据手册

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH CURRENT TRANSISTOR  
ISSUE 1 – APRIL 94  
ZTX869  
FEATURES  
*
*
*
*
*
*
25 Volt VCEO  
5 Amps continuous current  
Up to 20 Amps peak current  
Very low saturation voltage  
High Gain  
C
B
E
Ptot=1.2 Watts  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
25  
V
6
V
Peak Pulse Current  
20  
5
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptotp  
Ptot  
1.58  
W
W
°C  
1.2  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CER  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
60  
60  
25  
6
120  
120  
35  
V
V
V
V
IC=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltag  
IC=1µA, RB ≤1KΩ  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
8
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
50  
1
nA  
µA  
VCB=50V  
VCB=50V, Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1KΩ  
50  
1
nA  
µA  
VCB=50V  
VCB=50V, Tamb=100°C  
IEBO  
10  
nA  
VEB=6V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
25  
50  
100  
180  
50  
80  
200  
220  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=0.5A, IB=10mA*  
IC=1A, IB=10mA*  
IC=2A, IB=100mA*  
IC=5A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
880  
950  
mV  
IC=5A, IB=100mA*  
3-306  
123

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ZTX869STOA 替代型号

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