ZTX953

更新时间： 2024-11-22 22:18:51

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
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描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

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ZTX953 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	3.5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
VCEsat-Max：	0.33 V	Base Number Matches：	1

ZTX953 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 4 JUNE 94

ZTX953

FEATURES

3.5 Amps continuous current

Up to 10 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain up to 10 Amps

Spice model available

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-140

-100

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-6

Peak Pulse Current

-10

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-3.5

P_totp

P_tot

1.58

°C

1.2

T_j:T_stg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-140

-100

-6

-170

-120

-8

I_C=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=-1µA, RB ≤1KΩ

I_C=-10mA*

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-50

-1

µA

V_CB=-100V

V_CB=-100V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

-50

-1

µA

V_CB=-100V

V_CB=-100V, T_amb=100°C

I_EBO

-10

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-20

-80

-140

-250

-50

I_C=-100mA, I_B=-10mA*

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

I_C=-4A, I_B=-400mA*

-100

-170

-330

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-960

-1100 mV

I_C=-4A, I_B=-400mA*

3-318

12 3

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