ZTX949

更新时间： 2024-02-18 17:03:35

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

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ZTX949 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.16	最大集电极电流 (IC)：	4.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.32 V
Base Number Matches：	1

ZTX949 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 3 JUNE 94

ZTX949

FEATURES

4.5 Amps continuous current

Up to 20 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain up to 20 Amps

Very low leakage

Exceptional gain linearity down to 10mA

Spice model available

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-50

-30

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-6

Peak Pulse Current

-20

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-4.5

P_totp

1.58

°C

P_tot

1.2

T_j:Tstg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-50

-30

-6

-80

-45

-8

I_C=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=-1µA, RB ≤1KΩ

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-50

-1

µA

V_CB=-40V

V_CB=-40V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

-50

-1

µA

V_CB=-40V

V_CB=-40V, T_amb=100°C

I_EBO

-10

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-40

-80

-100

-240

-60

I_C=-0.5A, I_B=-20mA*

I_C=-1A, I_B=-20mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

I_C=-5A, I_B=-300mA*

-100

-160

-320

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-960

-1100 mV

I_C=-5A, I_B=-300mA*

3-312

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZTX949STOA	DIODES	获取价格	4.5A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
ZTX949STOA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
ZTX949STOB	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
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