5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > ZTX692BSTOB
ZTX692BSTOB PDF预览

ZTX692BSTOB

更新时间： 2024-11-21 19:21:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
1000mA, 70V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

ZTX692BSTOB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78Base Number Matches：1

ZTX692BSTOB 数据手册

 浏览型号ZTX692BSTOB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZTX692BSTOB的Datasheet PDF文件第3页 
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 1 – APRIL 94  
ZTX692B  
FEATURES  
*
*
*
70 Volt VCEO  
Gain of 400 at IC=500mA  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Relay drivers  
C
B
E
Battery powered circuits  
Motor drivers  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
70  
70  
5
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
IC  
1
A
Ptotp  
Ptot  
1.5  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
70  
70  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
0.1  
0.1  
VCB=55V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
0.15  
0.5  
V
V
IC=0.1A, IB=0.5mA*  
IC=1A, IB=10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
0.9  
V
IC=1A, IB=10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
0.9  
V
IC=1A, VCE=2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
500  
400  
150  
IC=100mA, VCE=2V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
3-241  
123

中文翻译

下载PDF

ZTX692BSTOB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ZTX692BSTOA DIODES

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX692BSTZ DIODES

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX692B DIODES

功能相似

 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

与ZTX692BSTOB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZTX692BSTZ DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX692BSTZ ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX694B DIODES

获取价格

 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX694B ZETEX

获取价格

 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX694BK DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
ZTX694BM1TA ZETEX

获取价格

 		暂无描述
ZTX694BM1TC ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
ZTX694BSMTA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
ZTX694BSTOA DIODES

获取价格

 		暂无描述
ZTX694BSTZ DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

与ZTX692BSTOB相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证