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ZTX696B

更新时间： 2024-01-16 21:53:33
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3页 57K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX696B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.35最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PSIP-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：70 MHzVCEsat-Max：0.25 V

ZTX696B 数据手册

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
ZTX696B  
FEATURES  
*
*
*
180 Volt VCEO  
Gain of 500 at IC=100mA  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Battery powered circuits  
Motor drivers  
C
B
E
E-Line  
Relay / solenoid drivers  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current  
180  
180  
5
V
V
1
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation *  
IC  
0.5  
1.5  
A
Ptotp  
Ptot  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
180  
180  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
0.1  
0.1  
VCB=145V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
0.2  
0.2  
0.25  
V
V
V
IC=50mA, IB=0.5mA*  
IC=100mA, IB=2mA*  
IC=200mA, IB=5mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
0.9  
0.9  
V
IC=200mA, IB=5mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
V
IC=200mA, VCE=5V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
500  
150  
IC=100mA, VCE=5V*  
IC=200mA, VCE=5V*  
3-247  
123

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