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ZTX694BSTZ

更新时间： 2024-11-25 20:04:07

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	87K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX694BSTZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX694BSTZ 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 APRIl 94

ZTX694B

FEATURES

120 Volt V_CEO

Gain of 400 at I_C=200mA

Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Darlington replacement

Relay / solenoid driver

Battery powered circuits

Motor drivers

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

120

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

0.5

1.5

P_totp

P_tot

Power Dissipation T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

120

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

0.1

V_CB=100V

µA

I_EBO

V_EB=4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

0.25

0.5

I_C=100mA, I_B=0.5mA*

I_C=400mA, I_B=5mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.9

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.9

IC=1A, V_CE=2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

500

400

150

I_C=100mA, V_CE=2V_*

I_C=200mA, V_CE=2V*

I_C=400mA, V_CE=2V*

3-244

12 3

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ZTX694BSTOA	DIODES	功能相似	暂无描述

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ZTX696B	DIODES	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX704	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ZTX704L	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
ZTX704M1	ZETEX	获取价格	Obsolete
ZTX704M1TA	ZETEX	获取价格	Obsolete
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