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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX704M1TA
ZTX704M1TA PDF预览

ZTX704M1TA

更新时间： 2024-11-20 23:35:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
Obsolete

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ZTX704M1TA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.25
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：3000JESD-30 代码：R-PSSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：1.3 VBase Number Matches：1

ZTX704M1TA 数据手册

 浏览型号ZTX704M1TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZTX704M1TA的Datasheet PDF文件第3页 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
DARLINGTON TRANSISTORS  
ISSUE 3 – MAY 94  
ZTX704  
ZTX705  
FEATURES  
*
*
*
*
120 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Gain of 3K at IC=1 Amp  
Ptot=1 Watt  
APPLICATIONS  
Lamp, solenoid and relay drivers  
C
B
E
*
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX704  
-120  
ZTX705  
-140  
-120  
-10  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
-100  
Peak Pulse Current  
-4  
-1  
Continuous Collector Current  
IC  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/ °C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX704  
ZTX705  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
-120  
-140  
-120  
-10  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VCEO(SUS) -100  
V(BR)EBO -10  
ICBO  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-0.1  
-10  
V
CB=-100V  
CB=-120V  
VCB=-100V, T  
µA  
µA  
µA  
µA  
-0.1  
V
=100°C  
amb  
=100°C  
-10  
-10  
VCB=-120V, T  
amb  
Collector Cut-Off  
Current  
ICES  
-10  
VCES=-80V  
µA  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
-0.1  
-0.1  
VEB=-8V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-1.3  
-2.5  
-1.3  
-2.5  
V
V
IC=-1A, IB=-1mA*  
IC=-2A, IB=-2mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
-1.8  
-1.8  
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-1.7  
-1.7  
V
IC=-1A, VCE=-5V*  
3-250  
123

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